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2020双十一狂欢夜节目单,2020双十一狂欢夜节目单 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看(kàn)一则突(tū)发消(xiāo)息。

  美光公司(sī)在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审(shěn)查

  据(jù)网信办(bàn)消息,日前,网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安(ān)全(quán)审查。

  审(shěn)查发现,美光公司(sī)产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患,对(duì)我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险(xiǎn),影响我国国家安全。为此,网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律法规,我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光(guāng)公(gōng)司产品。

  此次对美光公(gōng)司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审查(chá),目的是(shì)防范产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息基础设施(shī)安全,是维护(hù)国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平对外开放,只要遵守中国法律法规要(yào)求,欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务(wù)进入(rù)中国市(shì)场。

  半(bàn)导体突发!中国出手:停(tíng)止(zhǐ)采购!

  3月31日,中国网信网发(fā)文称,为(wèi)保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链安全,防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险,维护(hù)国家安全,依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络安全法》,网络安(ān)全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》,对美(měi)光(guāng)公司(sī)(Micron)在华销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

  半导体突发(fā)!中国(guó)出(chū)手:停止采购!

  美光是(shì)美国(guó)的存储芯片行业龙头,也是全球存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)巨头(tóu)之(zhī)一,2022年收入(rù)来自(zì)中国市场收入从(cóng)此前(qián)高峰57%降(jiàng)至2022年约11%。根(gēn2020双十一狂欢夜节目单,2020双十一狂欢夜节目单)据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份(fèn)额(é)约为 96.76%,三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球 DRAM (内存)市场份额约为(wèi) 94.35%。

  A股上市公司中,江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等(děng)国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

  美光在江波龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显著(zhù)下降,至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供应商。

  公告显示, 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶圆供应商(shāng),采购约31亿元(yuán),占比33.52%;2022年,江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第三大(dà)供应商采购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示(shì),江(jiāng)波(bō)龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约,确(què)保存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性,巩(gǒng)固公司在(zài)下(xià)游市场的供应优势(shì),公(gōng)司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

  有券商(shāng)此前就分析(xī),如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售受到限(xiàn)制,或(huò)将导致下游客户转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产(chǎn)品(pǐn)

  分(fēn)析(xī)称,长存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器(qì)的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代,2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤,同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60:1的深孔(kǒng),未(wèi)来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者沟槽,催生(shēng)更多设(shè)备需(xū)求。据东京电子披露,薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为(wèi)75%。自长江存储被加入美国(guó)限制名(míng)单(dān),设备(bèi)国产化进(jìn)程加速(sù),看好拓荆科技(薄膜沉积)等相(xiāng)关公司份(fèn)额(é)提升(shēng),以及(jí)存储业务(wù)占比(bǐ)较高的华海清科(CMP)、盛美上海(清(qīng)洗)等(děng)收入(rù)增长。

 

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