大家好，来看一(yī)则突发消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的(de)产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办(bàn)消息，日前(qián)，网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品(pǐn)存(cún)在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信息(xī)基(jī)础设施供应链造成重大(dà)安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家安全(quán)。为(wèi)此，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我bd和hd哪个好，bd和蓝光有什么区别国(guó)内关(guān)键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络(luò)安全审(shěn)查，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络(luò)安全(quán)问题危害(hài)国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵(zbd和hd哪个好，bd和蓝光有什么区别ūn)守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国(guó)家安(ān)全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来(lái)自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司披露(lù)过美(měi)光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元(yuán)，占bd和hd哪个好，bd和蓝光有什么区别比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链(liàn)上(shàng)下(xià)游建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存(cún)储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄(báo)膜(mó)成为最(zuì)关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄(báo)膜沉(chén)积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相关公司(sī)份额(é)提(tí)升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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