大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在(zài)华销(xiāo)售的(de)产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依法对(duì)美光公(gōng)司在华销售产品进行了(le)网络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严(yán)重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息(xī)基础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室依(yī)法(fǎ)作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)的(de)运营者(zhě)应停止(zhǐ)采(cǎi)购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品进行网络安全审查，目(mù)的(de)是防(fáng)范产品网络安全问题(tí)危害国家关键信(xìn)息基础设施安全(quán)，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水平(píng)对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类平台产品服(fú)务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月吴亦凡资产多少亿31日，中国(guó)网信网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息(xī)基础设施(shī)供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐患(huàn)造(zào)成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是(shì)全球(qiú)存储芯(xīn)片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前(qián)高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021吴亦凡资产多少亿 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披(pī)露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已(yǐ)经不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部(bù)数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市(shì)场(chǎng)的(de)供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采(cǎi)购(gòu)国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国(guó)限制名(míng)单(dān)，设备国产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的(de)华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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