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　　美光公司在华(huá)销售的产品未(wèi)通过(guò)网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室(shì)依法对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)造(zào)成重大(dà)安全(quán)风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安全审(shěn)查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键(jiàn)信音域划分从低到高，人声音域划分(xìn)息(xī)基础设施(shī)的运营者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行(xíng)网络(luò)安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品网络(luò)安全(quán)问题危(wēi)害(hài)国家关键信(xìn)息基础设(shè)施安(ān)全，是(shì)维护国(guó)家安全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对外开放(fàng)，只要(yào)遵守(shǒu)中国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护(hù)国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施(shī)网音域划分从低到高，人声音域划分络(luò)安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至少已经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三(sān)大(dà)供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应(yīng)优(yōu)势，公(gōng)司(sī)也(yě)与国内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或(huò)将导致(zhì)下游(yóu)客户转(zhuǎn)而(ér)采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名(míng)单(dān)，设备国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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