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　　美光公司(sī)在华销售的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日(rì)前(qián)，网络安全(quán)审查办公(gōng)室(shì)依法对美光公(gōng)司(sī)在华销(xiāo)售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)，对(duì)我国关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全(quán)。为此，网络安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室依法(fǎ)作出不(bù)予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律法规，我国(guó)内关键信息基(jī)础设(shè)施的运营者(zhě)应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全审查(chá)，目(mù)的(de)是防范产品(足疗买钟出去是睡觉吗，怎么跟宾馆前台说要服务pǐn)网络安全(quán)问题危害国家关键信息(xī)基础设施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全的(de)必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成(chéng)网络安全风险，维护(hù)国家安全(quán)，依据《中华人民共和(hé)国国家(jiā)安全(quán)法》《中华(huá)人民共(gòng)和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披(pī)露过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波(bō)龙(lóng)采购(gòu)占(zhàn)比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大(dà)供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂足疗买钟出去是睡觉吗，怎么跟宾馆前台说要服务签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应的(de)稳定(dìng)性，巩(gǒng)固(gù)公司(sī)在(zài)下游市场(chǎng)的(de)供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好足疗买钟出去是睡觉吗，怎么跟宾馆前台说要服务的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到(dào)限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游客户转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到(dào) 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多设备(bèi)需(xū)求。据东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支(zhī)合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备(bèi)国(guó)产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司(sī)份额(é)提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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