大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华销售的产(chǎn)品未(wèi)通(tōng)过(guò)网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公(gōng)司在华销售产品进行了(le)网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现(xiàn)，美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息(xī)基(jī)础设施供(gōng)应链造(zào)成重大安(ān)全风(fēng)险，影响我国(guó)国家安全(quán)。为此，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司(sī)产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全(quán)问题(tí)危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安(ān)全的(de)必(bì)要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平(píng)对外(wài)开(kāi)放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应(yīng)链安(ān)全(quán)，防范(fàn)产品问题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是全球(qiú)存(cún)储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96卧室放wifi有什么危害知乎，wifi放在卧室里有害吗.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等(děng)公司(sī)披(pī)露过美光等国际存(cún)储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下(xià)降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三(sān)大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存储产业链(liàn)上下游(yóu)建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)卧室放wifi有什么危害知乎，wifi放在卧室里有害吗部数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了(le)长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在下游市场的供应优势(shì)，公(gōng)司也与(yǔ)国内(nèi)国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果(guǒ)美(měi)光在中国(guó)区销(xiāo)售受(shòu)到(dào)限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购国(guó)外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称(chēng)，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到(dào)3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积(jī)工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需(xū)求。据(jù)东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美(měi)国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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