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　　美光公司在(zài)华销售的(de)产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法对美光公(gōng)司(sī)在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不(bù)予(yǔ)通过(guò)网络安全(quán)审(shěn)查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，画的作者是谁 画的作者是高鼎吗我国内关键信息基础设(shè)施的(de)运(yùn)营者应停止采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司产品进(jìn)行网络安(ān)全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设(s画的作者是谁 画的作者是高鼎吗hè)施(shī)安全(quán)，是维护国家(jiā)安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外(wài)开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施(shī)供应链安全，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络(luò)安(ān)全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是(shì)全(quán)球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场收入从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购金额(é)占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等(děng)主(zhǔ)要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优(yōu)势，公(gōng)司也与国内国(guó)产(chǎn)存(cún)储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受(shòu)到(dào)限制，或(huò)将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美国限制名(míng)单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等(děng)相(xiāng)关公司份额提升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入(rù)增长(zhǎng)。

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