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　　美(měi)光公司在华销售的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法对(duì)美光公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国(guó)关(guān)键信息基(jī)础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我国内关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施(shī)的运(yùn)营者应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进(jìn)行网络安(ān)全审(shěn)查(chá)，目的是(shì)防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关(guān)键信息(xī)基础设施安全(quán)，是(shì)维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国(guó)法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国(guó)网络(luò)安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室按(àn)照《网络安全(quán)审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约(yuē)31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二(èr)大(dà)和第三大供应商采购(gòu)金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波(bō)龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上下游建立(lì)国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要(yào)存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应(yīng)优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键(jiàn)、最大(dà)量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更(gèng)多设(shè)备需求(qiú)。据(jù)东京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限(xiàn)制(zhì)名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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