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　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华(huá)销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存(cún)在较严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国(guó)国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关(guān)键信(xìn)息基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安(ān)全审查(chá)，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全(quán)问题(tí)危害国(guó)家(jiā)关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)安(ān)全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障关(guān)键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场收入从此(c嘉祥县属于哪个市 济宁嘉祥是不是很穷ǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披(pī)露过(guò)美光等国际存储嘉祥县属于哪个市 济宁嘉祥是不是很穷厂商(shāng)为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是(shì)主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三(sān)大供应商采购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链上下游建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制(zhì)名单，设备国(guó)产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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