大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网(wǎng)信(xìn)办(bàn)消息，日前(qián)，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司(sī)在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通(tōng)过网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)的(de)结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止采购(gòu)美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害(hài)国家关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)安全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)说明方法有哪些及作用答题格式，三年级说明方法有哪些及作用，中国网信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经(jīng)不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng说明方法有哪些及作用答题格式，三年级说明方法有哪些及作用)第一大、第(dì)二大和(hé)第(dì)三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部(bù)数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国(guó)产(chǎn)存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而(ér)采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从(cóng)中(zhōng)受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设(shè)备(bèi)国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)说明方法有哪些及作用答题格式，三年级说明方法有哪些及作用关公司份额(é)提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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