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　　美光公司在华销售的(de)产品未(wèi)通过(guò)网络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)供应链造成重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安(妩媚的意思怎么解释，妩媚的意思是什么解释ān)全(quán)。为此，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办(bàn)公室依法作(zuò)出不予通(tōng)过网络(luò)安全审(shěn)查的结(jié)论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司(sī)产品进(jìn)行网络(luò)安全审查，目的是(shì)防范产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对(duì)外开放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供(gōng)应链安(ān)全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国(guó)家安(ān)全法》《中华(huá)人民(mín)共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)按照《网络(luò)安全审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)实施(shī)网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是(shì)全(quán)球(qiú)存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年(nián)收入(rù)来自(zì)中国市场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美(měi)光等(děng)国际(jì)存储厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下(xià)游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了(le)长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将导致下游客(kè)户(hù)转而采购(gòu)国(guó)外三(sān)星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江(jiāng)存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或从(cóng)中受(shòu)益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过薄(báo)膜(mó)沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设备需求。据(jù)东京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公司份额(é)提升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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