大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问(w莫衷一是什么意思 莫衷一是是褒义还是贬义èn)题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息(xī)基础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安(ān)全(quán)风险，影(yǐng)响我国国家安(ān)全。为此，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过网络安(ān)全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)，莫衷一是什么意思 莫衷一是是褒义还是贬义trong>我国内关键信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公(gōng)司产品进行网络(luò)安(ān)全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国家(jiā)关(guān)键信息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维护国家安(ān)全的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎(yíng)各(gè)国(guó)企业、各类(lèi)平(píng)台产(chǎn)品服(fú)务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公(gōng)司披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确(què)保(bǎo)存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势(shì)，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从(cóng)中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀莫衷一是什么意思 莫衷一是是褒义还是贬义和薄(báo)膜成为最关键、最大量(liàng)的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能(néng)会(huì)更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存(cún)储被加入美(měi)国限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技(jì)（薄(báo)膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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