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青金石的五行属性,青金石的五行属性是什么 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一(yī)则突发(fā)消息。

  美(měi)光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查

  据(jù)网(wǎng)信办消息,日前,网(wǎng)络安全(quán)审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公(gōng)司在华销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安全审查。

  审查(chá)发现,美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患,对我(wǒ)国关(guān)键信息基础设施(shī)供应链(liàn)造成(chéng)重大安全风(fēng)险,影响我国国家(jiā)安全。为此,网络安全审查办公(gōng)室(shì)依(yī)法作(zuò)出不予通过网络(luò)安全审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规,我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运营者(zhě)应停止采购美(měi)光公司(sī)产品。

  此次对美光公司产品进(jìn)行网络安全审(shěn)查,目(mù)的是防范(fàn)产品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全,是(shì)维(wéi)护国家安青金石的五行属性,青金石的五行属性是什么(ān)全的(de)必要措施。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放,只要遵守中国(g青金石的五行属性,青金石的五行属性是什么uó)法(fǎ)律法规(guī)要(yào)求,欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  3月31日,中国网(wǎng)信网发文称,为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链(liàn)安全,防范产品问题(tí)隐患造成网络(luò)安全风险,维(wéi)护(hù)国家安(ān)全,依据《中华人民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民(mín)共(gòng)和(hé)国网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》,网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》,对美(měi)光公司(sī)(Micron)在华销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

  半导体突(tū)发!中国(guó)出手:停止采(cǎi)购!

  美光(guāng)是美国(guó)的存储芯片行业龙(lóng)头,也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之一,2022年(nián)收入来自中国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰(fēng)57%降至2022年约(yuē)11%。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约(yuē)为 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM (内存(cún))市场(chǎng)份额约为 94.35%。

  A股上市公(gōng)司中,江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商。

  美光在(zài)江波(bō)龙采购(gòu)占比已经显著下降,至(zhì)少已经(jīng)不是(shì)主要大供应商。

  公告显(xiǎn)示, 2021年美(měi)光(guāng)位(wèi)列江波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应商,采购(gòu)约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示,江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部数(shù)据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约,确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳定性,巩固公(gōng)司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优(yōu)势,公(gōng)司也与国内(nèi)国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

  有券商此前就分析,如果美(měi)光在中国区销售受到限(xiàn)制,或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士,国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对(duì)产品

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受(shòu)益(yì)。存(cún)储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代,2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤,同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60:1的深孔,未青金石的五行属性,青金石的五行属性是什么(wèi)来(lái)可能会(huì)更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽,催(cuī)生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露,薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75%。自长江(jiāng)存(cún)储被(bèi)加入美国限制名单,设备国产化(huà)进(jìn)程加(jiā)速,看好拓(tuò)荆科技(薄膜沉积)等相关公司(sī)份额提升,以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科(CMP)、盛美上海(清(qīng)洗(xǐ))等(děng)收入增长。

 

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