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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依(yī)法对(duì)美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存(cún)在较严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安(ān)全风险，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法作出不(bù)予通过网络安(ān)全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》等法律法规，我国(guó)内关(guān)键信息基础设施的(de)运营者应停止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公司寿眉是最差的白茶吗，寿眉是什么档次的茶(sī)产品(pǐn)进行网络(luò)安全审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品网络安全(quán)问(wèn)题危害(hài)国家关键信息基(jī)础设(shè)施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对(duì)外开放(fàng)，只要遵守中国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国(guó)企(qǐ)业、各类(lèi)平(píng)台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全(quán)风(fēng)险，维护国家安全，依据(jù)《中华(huá)人民(mín)共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全(quán)法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(mě寿眉是最差的白茶吗，寿眉是什么档次的茶i)光位列(liè)江波(bō)龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链(liàn)上下(xià)游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期(qī)合约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也(yě)与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区(qū)销售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户转而(ér)采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存(cú寿眉是最差的白茶吗，寿眉是什么档次的茶n)储(chǔ)被加入美国(guó)限制名(míng)单(dān)，设(shè)备国产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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