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　　美(měi)光公司(sī)在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销售产品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较(jiào)严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链(liàn)造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全(quán)审查(chá)，目的是防范产品网络(luò)安全问题危(wēi)害国家(jiā)关(guān)键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚(jiān)定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平(píng)台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中华(huá)人(rén)民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络安全(quán)法》，网络安(ān)全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入(rù)来自(zì)中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第(dì)三大供应商采购金额(é)占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上台湾领导者是谁，现任台湾领导者是谁下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数据(jù)等(děng)主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了(le)长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优势，公司(sī)也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合(hé)作。<台湾领导者是谁，现任台湾领导者是谁/p>

　　有券(quàn)商此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客(kè)户转而采购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞(jìng)对(duì)产(chǎn)品(pǐn)

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从(cóng)中受益。存储器(qì)的(de)生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电(diàn)子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化(huà)进(jìn)程(chéng)加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额(é)提升(shēng)，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长。

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