大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品(pǐn)进行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通(tōng)过网络(luò)安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内(nèi)关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的(de)必要措施(shī唇炎吃什么维生素，唇炎吃什么维生素好)。中国坚定推进高水平对(duì)外开放(fàng)，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设(shè)施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造(zào)成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人(rén)民(mín)共和(hé)国(guó)国家(jiā)安(ān)全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络安全(quán)审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国(guó)的存(cún)储芯(xīn)片行业(yè)龙(lóng)头，也是(shì)全(quán)球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一唇炎吃什么维生素，唇炎吃什么维生素好大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应(yīng)商采(cǎi)购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上下(xià)游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年唇炎吃什么维生素，唇炎吃什么维生素好报显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部(bù)数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场的供应优(yōu)势(shì)，公司也与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户(hù)转而采购国(guó)外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需求。据(jù)东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程(chéng)加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长(zhǎng)。

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