大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法对美光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行了(le)网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络(luò)安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安(ān)全风(fēng)险，影响我国国家安(ān)全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络(luò)安全审(shěn)查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关(guān)键信(xìn)息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审查，目的(de)是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键信息基(jī)础设(shè)施安全(quán)，是维(wéi)护国家安全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开(kāi)放，只要(yào)遵(zūn)守中(zhōng)国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发(fā)文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安(ān)全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成(chéng)网络安(ān)全(quán)风险，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 楚国辞赋家是谁湖北省宜昌市人，楚国辞赋家是谁湖北省宜昌市秭归县人NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际(jì)存(cún)储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要(yào)大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分别是26.楚国辞赋家是谁湖北省宜昌市人，楚国辞赋家是谁湖北省宜昌市秭归县人ht: 24px;'>楚国辞赋家是谁湖北省宜昌市人，楚国辞赋家是谁湖北省宜昌市秭归县人28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存(cún)储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区(qū)销(xiāo)售受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下(xià)游客户(hù)转而采购国(guó)外三(sān)星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量(liàng)的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被加(jiā)入美国(guó)限制名单(dān)，设备(bèi)国产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华(huá)海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增(zēng)长。

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