大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华销售的(de)产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华(huá)销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重网络安全(quán)问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依(yī)法作(zuò)出不予通过网络安全审查(chá)的结(jié)论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息(xī)基础设施的运营者应(yīng)停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安全审查(chá)，目的(de)是防范(fàn)产(chǎn)品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全(quán)的必要(yào)措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称(chēng)，为保障关键信息基(jī)础设(shè)施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IH自然堂雪域精粹适合什么年龄，自然堂紫色和蓝色哪个好S Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数(shù)据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披(pī)露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已经不(bù)是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大、第二(èr)大和第三大(dà)供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了(le)长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商自然堂雪域精粹适合什么年龄，自然堂紫色和蓝色哪个好此前就分析(xī)，如果美(měi)光在中国区销(xiāo)售(shòu)受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下(xià)游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及(jí)存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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