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1km等于多少米 1km是不是1公里 半导体突发!中国出手:停止采购!

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  大家好(hǎo),来(lái)看一(yī)则突(tū)发消息。

  美(měi)光公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)未通过(guò)网(wǎng)络安全审查(chá)

  据网信办消(xiāo)息,日前,网络安全审查办(bàn)公室依法对(duì)美光公司在华(huá)销售产品进行了(le)网络安全审(shěn)查。

  审查(chá)发现,美光公(gōng)司(sī)产品存在较(jiào)严重网络安全问(wèn)题隐患,对(duì)我国关键信息基(jī)础设(shè)施供应链造(zào)成重大安全风(fēng)险(xiǎn),影响我国国家安全。为此(cǐ),网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法作出不予(yǔ)通过网络安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规(guī),我(wǒ)国内关键信息基础设(shè)施的运营者应(yīng)停止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

  此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审查,目的(de)是防范产品网络(luò)安全问题(tí)危害国(guó)家关键信息(xī)基(jī)础设施安全,是维护国(guó)家安全的(de)必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外(wài)开放(fàng),只要遵守中国法律法规(guī)要(yào)求,欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台(tái)产品服务进入中国(guó)市场。

  半导体(tǐ)突发(fā)!中国出手:停(tíng)止采购!

  3月31日,中国网信网(wǎng)发文称,为保(bǎo)障关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)安全,防范产品问题隐患造(zào)成(chéng)网络安全(quán)风险,维护国家(jiā)安全,依据(jù)《中华人民(mín)共和国(guó)国家安全法》《中华(huá)人民共(gòng)和国(guó)网络安全法(fǎ)》,网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》,对美光公司(Micron)在华销售的(de)产(chǎn)品实施(shī)网络安全审(shěn)查。

  半导体突(tū)发!中国出手(shǒu):停止采购!

  美光是美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业(yè)龙头,也是(shì)全球存(cún)储芯片巨头之一,2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪(shǎn)存(cún))市场份额约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球 DRAM (内存)市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35%。

  A股上市公司(sī)中,江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

  美光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降(jiàng),至少已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

  公告显示, 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应商,采(cǎi)购(gòu)约(yuē)31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年(nián),江波(bō)龙第一大(dà)、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报(bào)显示,江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约(yuē),确(què)保存储晶圆供应的(de)稳(wěn)定性,巩固公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势,公司也与国内(nèi)国(guó)产存(cú1km等于多少米 1km是不是1公里n)储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作。

  有券商此前就分析,如果美(měi)光在中国(guó)区销售受到限(xiàn)制(zhì),或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士,国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品(pǐn)

  分(fēn)析称(chēng),长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和(hé)薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉(chén)积工(gōng)艺步骤(zhòu),同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60:1的深孔,未来(lái)可能会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽,催生更多设(shè)备需(xū)求。据东京电(diàn)子披露,薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计为(wèi)75%。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名单,设备国产化(huà)进程加速,看好(hǎo)拓荆科1km等于多少米 1km是不是1公里(kē)技(薄膜沉积)等相关(guān)公司份额提升,以及存储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长。

 

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