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龙有几个爪 龙有两个根吗

龙有几个爪 龙有两个根吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好(hǎo),来(lái)看一则突发消(xiāo)息。

  美光公司在华销售的产品未通龙有几个爪 龙有两个根吗(tōng)过网(wǎng)络安全审查

  据网信办(bàn)消(xiāo)息(xī),日前,网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安(ān)全审查。

  审查(chá)发现,美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问(wèn)题(tí)隐患,对我国关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链(liàn)造成重大(dà)安(ān)全风险,影响我国国家安全(quán)。为此,网络安全(quán)审查办公室(shì)依法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规,我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)。

  此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查,目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络(luò)安全(quán)问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全,是(shì)维护(hù)国(guó)家(jiā)安全的(de)必要措(cuò)施(shī)。中国(guó)坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平(píng)对(duì)外开(kāi)放,只要遵守(shǒu)中国法律法规要求,欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

  半(bàn)导体突发!中国出手:停止采购!

  3月31日,中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称,为保障关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链安(ān)全(quán),防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全(quán)风险,维护国家(jiā)安全(quán),依据《中华(huá)人民(mín)共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网(wǎng)络安全(quán)法》,网络安(ān)全审查办公(gōng)室(shì)按照《网络安全(quán)审查办法》,对美光(guāng)公司(Micron)在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

  半导体(tǐ)突发(fā)!中国出手:停(tíng)止采(cǎi)购!

  美光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu),也是全(quán)球存(cún)储芯片巨头之一,2022年收入来自中国市场收(shōu)入从(cóng)此前(qián)高峰(fēng)57%降至2022年约11%。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约(yuē)为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM (内存)市场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为 94.35%。

  A股上市(shì)公司中,江波(bō)龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等(děng)国际(jì)存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

  美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降,至(zhì)少已经不(bù)是主要大供应商(shāng)。

  公告显示, 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示,江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约,确保存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性,巩固(gù)公司在(zài)下游市场的供应(yīng)优势,公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

  有券商此前就(jiù)分(fēn)析,如(rú)果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制,或(huò)将导(dǎo)致下(xià)游(yóu)客户转而采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士,国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

  分析称,长存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤,同时刻蚀目前前沿要刻到 60:1的深孔,未来可能会更深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽(cáo),催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据东(dōng)京电(di龙有几个爪 龙有两个根吗àn)子披露,薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75%。自长(zhǎng)江存储被加入美国(guó)限制名(míng)单,设备国产化进程加速,看好拓(tuò)荆(jīng)科(kē)技(jì)(薄(báo)膜沉积)等(děng)相关(guān)公司(sī)份额提(tí)升,以及(jí)存储业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科(CMP)、盛美(měi)上海(清洗(xǐ))等收入增长。

 

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