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　　美光公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)未通(tōng)过(guò)网络安全审查

错一个题就往阴里装一支笔0; line-height: 24px;'>错一个题就往阴里装一支笔　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销售(shòu)产品进(jìn)行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公错一个题就往阴里装一支笔司(sī)产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设(shè)施供应链造成重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办公室依法作出(chū)不(bù)予(yǔ)通(tōng)过(guò)网络(luò)安全审查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络安全(quán)审查(chá)，目(mù)的(de)是防(fáng)范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国家关(guān)键信息基(jī)础设施安(ān)全(quán)，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平(píng)台(tái)产品服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基(jī)础设(shè)施供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室(shì)按照《网络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是(shì)主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三大供应商(shāng)采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链(liàn)上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优(yōu)势(shì)，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区(qū)销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为(wèi)最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制(zhì)名单(dān)，设备国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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