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　　美光公(gōng)司(sī)在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华(huá)销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全(quán)问(wèn)题(tí)隐患，对我国(guó)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法作出不予通(tōng)过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法(fǎ)律法(fǎ)规，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础设施的(de)运营者(zhě)应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)，目的是防范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危(wēi)害(hài)国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台(tái)产品服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和(hé)国国家安(ān)全法》《中华人(rén)民共和国(guó)网络(luò)安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维(wéi)存(cún)储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大、第(dì)二大和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要(yào)存储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国(guó)产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下(xià)料酒可以用白酒替代吗，料酒可以用白酒替代吗游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设(shè)备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存(cún)储被加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备国(guó)产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额(é)提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。

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