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　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美光(guāng)公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产品存在(zài)较严重网络安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施(shī)供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国(guó)家安(ān)全。为(wèi)此，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查，目的(de)是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关(guān)键信息基础设施安全，是维(wéi)护国(guó)家安(ān)全的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家(jiā)安全，依据《中华人民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和(hé)国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全(quán)审查办法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商(shāng)为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)学年是什么意思？应该怎样填，2022至2023学年是什么意思5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已(yǐ)经在存(cún)储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部(bù)数据等主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应(yīng)优(yōu)势(shì)，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果美(měi)光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致下(xià)游客户(hù)转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可(kě)能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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