大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据(jù)网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法对美光公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品存(cún)在(zài)较严(yán)重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安全审(shěn)查(chá)的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础(菠萝蜜不熟剥开后还能再放熟吗，菠萝蜜不熟剥开后还能再放熟吗chǔ)设施(shī)的(de)运营者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的(de)必(bì)要(yào)措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中华(huá)人民(mín)共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络(luò)安全(quán)法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告(gào)显示(shì)， 2021年美(měi)光位列(liè)江波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供(gōng)应商采购金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上(shàng)下游建立(lì)国(guó)内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游(yóu)市场(chǎng)的(de)供(gōng)应优势，公司也与国内国(guó)产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设(shè)备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设(shè)备(bèi)及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较高(gāo)的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入增(菠萝蜜不熟剥开后还能再放熟吗，菠萝蜜不熟剥开后还能再放熟吗zēng)长。

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