大家好，来看一则突发(fā)消息(xī)。

　　美光公司(sī)在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日(rì)前，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成(chéng)重大(dà)安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安《风起陇西》讲述了什么故事，《风起陇西》讲述了什么故事情节全审查办公(gōng)室依法作出不予(yǔ)通(tōng)过(guò)网络安全审(shěn)查的(de)结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营者(zhě)应(yīng)停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络(luò)安全问(wèn)题危(wēi)害国(guó)家(jiā)关键信息基(jī)础设施(shī)安全，是(shì)维护国(guó)家(jiā)安(ān)全的(de)必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入(rù)中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室按照《网络安全审(shěn)查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的(de)存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美(měi)光(guāng)等国际(jì)存(cún)储厂商(shāng)为公(gōng)司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大(dà)供应(yīng)商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经(jīng)在(zài)存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美(měi)光在(zài)中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游客(kè)户(hù)转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的(de)生产(chǎn)已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者沟(g《风起陇西》讲述了什么故事，《风起陇西》讲述了什么故事情节ōu)槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储(chǔ)被加入(rù)美国(guó)限制名单(dān)，设备国产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存(cún)储业务占比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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