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　　美光公司在华销售的(de)产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美汉语拼音u在什么时候上面加两点，拼音里的u什么时候加点光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国(guó)国家(jiā)安(ān)全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依(yī)法作(zuò)出不予通过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息(xī)基础设施的运(yùn)营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题(tí)危(wēi)害国家关键信息(xī)基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要(yào)遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各(gè)国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)安(ān)全，防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依(yī)据(jù)《中华(huá)人民(mín)共和国国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国(guó)网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查(chá)办公室按照(zhào)《网络安全(quán)审(shěn)查办汉语拼音u在什么时候上面加两点，拼音里的u什么时候加点法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存(cún)储厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一(yī)大存(cún)储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大(dà)供(gōng)应商采购(gòu)金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就(jiù)分析，如果美(měi)光(guāng)在中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游客户转而采(cǎi)购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维(wéi)的(de)结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄(báo)膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目(mù)前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入(rù)美(měi)国限制名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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