大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发(fā)消息(xī)。

　　美光公(gōng)司(sī)在华(huá)销售的(de)产品未通过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了(le)网络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查的(de)结论。按照《网络(luò)安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，齿轮计算公式汇总，齿轮全齿高计算公式g>我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国(guó)家关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的(de)必(bì)要(yào)措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国(guó)国家安(ān)全法》《中华人民共和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审查办(b齿轮计算公式汇总，齿轮全齿高计算公式àn)公室按(àn)照(zhào)《网络(luò)安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实(shí)施网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯(xīn)片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波龙(lóng)第(dì)一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二大和第三(sān)大(dà)供应(yīng)商采购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙(lóng)已(yǐ)经在存(cún)储产业(yè)链上下游建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了(le)长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下(xià)游市场的(de)供应优(yōu)势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果美(měi)光在中国区(qū)销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从中(zhōng)受(shòu)益(yì)。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目(mù)前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会(huì)更(gèng)深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制(zhì)名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份(fèn)额(é)提(tí)升，以及存储业务(wù)占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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