大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司在(zài)华销售(shòu)产品进(jìn)行了网络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安(ān)全审查(chá)办公室依(yī)法作(zuò)出不予通过(guò)网络安全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应(yīng)停(tíng)止采购美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美光公司(sī)产品进行(xíng)网络安全审查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施(shī)安全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造(zào)成(chéng)网(wǎng)络(luò)安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星m开头的姓氏都有哪些，m开头的姓氏中文名电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储(chǔ)等(děng)公司披露(lù)过美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不(bù)是主(zhǔ)要(yào)大供(gōng)应(yīng)商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙(lóng)已(yǐ)经在(zài)存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛合作(zum开头的姓氏都有哪些，m开头的姓氏中文名ò)。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下(xià)游市场的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国内国(guó)产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为(wèi)最关(guān)键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设(shè)备(bèi)需求。据东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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