大(dà)家好，来看一则(zé)突(tū)发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的(de)产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光公(gōng)司在华(huá)销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问(wèn)题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法作出(chū)不予通过网络安全审查的(de)结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础设施的运营(yíng)者应停(太乙天尊是谁 太乙天尊是太乙真人吗tíng)止(zhǐ)采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行(xíng)网络安全(quán)审查(chá)，目的是防范产品网络安(ān)全问(wèn)题(tí)危害国家关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施安全，是(shì)维护(hù)国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公室(shì)按照(zhào)《网络(luò)安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年(nián)三(sān)星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露过美光等国际存(cún)储厂商(shāng)为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō太乙天尊是谁 太乙天尊是太乙真人吗)龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主(zhǔ)要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列(liè)江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第二大(dà)和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作。2022太乙天尊是谁 太乙天尊是太乙真人吗年年(nián)报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据等主要(yào)存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国(guó)产(chǎn)存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公(gōng)司份额提升，以及(jí)存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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