大家好，来看一(yī)则突发消息(xī)。

　　美(měi)光公司(sī)在华(huá)销售的(de)产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对(duì)美光公司在(zài)华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)存(cún)在较严重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造(zào)成重大安(ān)全风险(xiǎn)，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法作出不予通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审查的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法规，我国(guó)内(nèi)关键信(xìn)息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维咋能把自己弄成小喷泉呢，如何把女朋友弄成小喷泉护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平(píng)对外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和(hé)国(guó)国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露(lù)过美光等国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降，至少已经(jīng)不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第三大供应商(shāng)采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波(bō)龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外(wài)广泛(fàn)合(hé)作(zuò)。2022年年报显示(shì咋能把自己弄成小喷泉呢，如何把女朋友弄成小喷泉)，江波龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应(yīng)优势，公司(sī)也与国内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购国外咋能把自己弄成小喷泉呢，如何把女朋友弄成小喷泉三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能(néng)会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限(xiàn)制名(míng)单，设(shè)备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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