大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过(guò)网(wǎ反射弧包括哪五个部分，反射弧包括哪五个部分顺序ng)络安全审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法对美光(guāng)公司在(zài)华销售产品(pǐn)进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对(duì)我国(guó)关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施(shī)供(gōng)应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室依法作出不予通(tōng)过(guò)网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的(de)是(shì)防范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础(chǔ)设(shè)施安全，是维护国家(jiā)安(ān)全的必要措(cuò)施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发(fā)文称，为保(bǎo)障关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链安全(quán)，防范产品问题(tí)隐患造成网络安(ān)全风险，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国(guó)家安(ān)全(quán)法》《中华(huá)人民共和(hé)国(guó)网络安全(quán)法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室(shì)按(àn)照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不(bù)是主要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应的(de)稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的供应优势，公反射弧包括哪五个部分，反射弧包括哪五个部分顺序司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层(céng)均需(xū)要(yào)经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会(huì)更深(shēn)的孔或者(zhě)沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求(qiú)。据(jù)东京电(diàn)子披(pī)露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国(guó)限制(zhì)名(míng)单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提(tí)升，以及(jí)存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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