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　　美光公司在(zài)华销售(shòu)的(de)产品未通(tōng)过(guò)网络安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司(sī)在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行(xíng)了(le)网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在(zài)较严重(zhòng)网络(luò)安全(quán)问题(tí)隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家(jiā)安全(quán)。为此，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室依(yī)法作(zuò)出不(bù)予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施(shī)的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设施(shī)安(ān)全(quán)，是维(wéi)护(hù)国(guó)家安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平(píng)对(duì)外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成(chéng)网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯(xīn)片(piàn)行(xíng)业龙头(tóu)，也(yě)是(shì)全(quán)球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露过(guò)美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至(zhì)少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一(yī)大(dà)、第二大和第三大(dà)供应商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)的稳(wěn)定性(xìng)，巩(gǒng)固(gù)公司(sī)在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致(zhì)下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储(chǔ)被加(jiā)入(rù)美国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积角鲨烷能天天用吗，为什么医生不建议用烟酰胺）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务(wù)占(zhàn)比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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