大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法对美(měi)光公司(sī)在(zài)华(huá)销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较(jiào)严重网络安(ān)全(quán)问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全(quán)。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法(fǎ)作出(chū)不予通过网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查的结论(lù这都有水了还说不想要，啊怎么这么多水啊n)。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的(de)运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的(de)是防范产品网络安全问题危(wēi)害(hài)国家(jiā)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的(de)必(bì)要措施。中国坚定推进高水平(píng)对(duì)外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类(lèi)平(píng)台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国(guó)国(guó)家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对(duì)美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，这都有水了还说不想要，啊怎么这么多水啊江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三大(dà)供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下(xià)游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西(xī)部数据(jù)等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游市场的(de)供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就(jiù)分析(xī)，如(rú)果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国(guó)外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì这都有水了还说不想要，啊怎么这么多水啊)更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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