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　　美光(guāng)公司在华销售的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法对美光公(gōng)司(sī)在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严(yán)重(zhòng)网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重大(dà)安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查办公(gōng)室依法(fǎ)作出(chū)不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息(xī)基(jī)础设施安全，是(shì)维护国家安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各(gè)类平台(tái)产品服务进入(rù)中(zhōng)国(guó)市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和国网络安(ān)全(quán)法》，网络(luò)安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯(xīn)片行业龙头成大事者必先苦其心志劳其筋骨什么意思，干大事者必先苦其心志劳其筋骨什么意思，也是全(quán)球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司(sī)披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第(dì)一大(dà)、第(dì)二大(dà)和第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期合约，确(què)保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在下游市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中国(guó)区(qū)销售受到限制(zhì)，或(huò)将导致(zhì)下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储器的(de)生(shēng)产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào成大事者必先苦其心志劳其筋骨什么意思，干大事者必先苦其心志劳其筋骨什么意思)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设(shè)备(bèi)需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额(é)提升，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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