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　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公室依(yī)法对美光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品存在(zài)较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链(liàn)造成重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国(guó)国家安全。为此，网络(luò)安全(quán)审查办公室依(yī)法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国(guó)内关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停(tíng)止采购(gòu)美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题(tí)危害(hài)国(guó)家关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施安全，是维护国家安全(quán)的(de)必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文(wén)称(chēng)，为保障(zhàng)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家(jiā)安(ān)全(quán)法》《中华(huá)人(rén)民(mín)共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室(shì)按(àn)照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙(lóng)头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从(cóng)此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披(pī)露过(guò)美光(guāng)等国际存储厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著下(xià)降，至少已经不(bù)是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙(lóng)第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大(dà)和(hé)第三大(dà)供应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下(xià)游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部(bù)数(shù)据(jù)等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的(de)稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公司(sī)也(yě)与(yǔ)国内(nèi)国(guó)产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的合作分号的用法有哪些词语，分号的用法及作用举例。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国外(wài)三(sān)星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国(guó)限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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