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馈赠的意思

馈赠的意思 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突(tū)发消息。

  美光公司在(zài)华销售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审查(chá)

  据(jù)网信办消息,日(rì)前,网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公司(sī)在华销售(shòu)产品进行了(le)网络安全审查。

  审查发现,美光公司产品存(cún)在较严(yán)重网络(luò)安全问(wèn)题隐(yǐn)患,对我国(guó)关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设(shè)施(shī)供(gōng)应链造成(chéng)重(zhòng)大安全(quán)风险,影(yǐng)响(xiǎng)我国国(guó)家安(ān)全(quán)。为此(cǐ),网络安(ān)全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网(w馈赠的意思ǎng)络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律法规,我(wǒ)国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

  此次对美光公司产品进行网络安全审查(chá),目的(de)是防(fáng)范产品网络安(ān)全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全(quán),是(shì)维护(hù)国家安全的(de)必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水平对外开放,只要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要求,欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

  半(bàn)导(dǎo)体突发!中国出手:停(tíng)止采(cǎi)购!

  3月(yuè)31日,中国网信网发文称(chēng),为保(bǎo)障关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链安全,防范产品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn),维护(hù)国家(jiā)安全,依据《中华人(rén)民共和国(guó)国(guó)家安全法》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络安全(quán)法》,网络安全审查办公室按照《网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办法》,对美光公司(Micron)在华销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安(ān)全审查。

  半导体突(tū)发!中国出手:停止(zhǐ)采购(gòu)!

  美光是(shì)美国的(de)存储馈赠的意思芯片行(xíng)业龙头,也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之(zhī)一,2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76%,三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM (内存)市(shì)场份额(é)约为 94.35%。

  A股上市公司(sī)中(zhōng),江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公司披露过(guò)美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

  美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下(xià)降,至少已经(jīng)不是主要大供应商。

  公告显示(shì), 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供(gōng)应商,采购约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年,江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立(lì)国内外(wài)广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年(nián)年(nián)报(bào)显示,江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据等主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约,确保(bǎo)存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性,巩固公司在下游市场的供(gōng)应优(yōu)势(shì),公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

  有券商此前就(jiù)分析,如果美光在(zài)中国(guó)区销售受(shòu)到限制,或将(jiāng)导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì),国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对(duì)产品

  分析(xī)称,长(zhǎng)存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器(qì)的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代,2 维到3维(wéi)的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大(dà)量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu),同时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要(yào)刻到 60:1的深孔,未来(lái)可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽,催生(shēng)更多设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露,薄膜(mó)沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计(jì)为(wèi)75%。自(zì)长江存储被加(jiā)入美国限制名(míng)单,设备(bèi)国产化进程加速,看好(hǎo)拓荆科技(薄膜沉积)等相关(guān)公司(sī)份(fèn)额(é)提升(shēng),以(yǐ)及存储业(yè)务占比较高的(de)华海清科(CMP)、盛(shèng)美上海(hǎi)(清洗)等(děng)收入(rù)增(zēng)长。

 

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