大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销售产品进行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产品存在(zài)较(jiào)严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐患(huàn)，对(duì)我国(guó)关键信息基础设施供应(yīng)链造(zào)成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审大冤种什么意思，大冤种是骂人吗查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施的(de)运营者应停(tíng)止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的(de)是防范(fàn)产(chǎn)品网(wǎng)络安全问题危害国家关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台(tái)产品服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维护(hù)国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光在(zài)全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美(měi)光等国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不(bù)是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器(q大冤种什么意思，大冤种是骂人吗ì)的生产已(yǐ)经演(yǎn)进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量(liàng)的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入(rù)美(měi)国限制名单，设(shè)备(bèi)国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高(gāo)的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增长。

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