大家(jiā)好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对(duì)美光公司(sī)在(zài)华(huá)销售产品(pǐn)进行了(le)网络安全审查(chá)。<外科鼻祖是谁？/p>

　　审查发(fā)现，美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品存(cún)在较严重(zhòng)网络(luò)安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安(ān)全(quán)。为此，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不予通(tōng)过网络(luò)安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施(shī)的运营者应停(tíng)止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行(xíng)网络安全(quán)审查，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络(luò)安(ān)全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全，是维护(hù)国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实(shí)施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披(pī)露过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不(bù)是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二(èr)大和第(dì)三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存(cún)储产(chǎn)业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西(xī)部数据(jù)等主要(yào)存(cún)储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期(qī)合(hé)约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的(de)供应(yīng)优势，公(gōng)司也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长外科鼻祖是谁？江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游(yóu)客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外科鼻祖是谁？外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美国限(xiàn)制(zhì)名单，设(shè)备国(guó)产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

未经允许不得转载：济宁舞蹈培训学校_济宁洋娃娃舞蹈学校_济宁洋娃娃舞蹈学校官网 外科鼻祖是谁？