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　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法对美(měi)光公司在(zài)华(huá)销售产品进(jìn)行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关(guān)键信息基础设施的运营(yíng)者应停(tíng)止(zhǐ)采购美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护(hù)国中原地区种植葡萄始于哪个朝代 秦朝的时候有葡萄吗家安全的(de)必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类平台产品服务(wù)进入中国市场。中原地区种植葡萄始于哪个朝代 秦朝的时候有葡萄吗p>

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)供应链安(ān)全，防范产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络安全风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自(zì)中国(guó)市场(chǎng)收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披(pī)露过美(měi)光等(děng)国际(jì)存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已经(jīng)不是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元(yuán)，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供(gōng)应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光(guāng)、西部数据(jù)等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，中原地区种植葡萄始于哪个朝代 秦朝的时候有葡萄吗国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益(yì)。存(cún)储器的生(shēng)产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的(de)加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺(yì)步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升(shēng)，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收(shōu)入(rù)增长。

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