大家(jiā)好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网络安全(quán)审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依(yī)法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进行了(le)网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光公司(sī)产品存(cún)在(zài)较(jiào)严重网络(luò)安(ān)全问题隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成(chéng)重大(dà)安(ān)全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安全。俄罗斯人的尺寸是多少厘米，俄罗斯怎么那么大为此，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法作(zuò)出不予通过网络(luò)安全审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法律(lǜ)法规(guī)，我国内关(guān)键信息基(jī)础设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全(quán)，是维护国家安(ān)全(quán)的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台(tái)产品服务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人民共和国国(guó)家安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存(cún)储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是(shì)全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入(rù)从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储(chǔ)等公司披(pī)露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和(hé)第三(sān)大供应商采购(gòu)金(jīn)额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从中受益。存(cún)储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京电(diàn)子披(pī)露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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