大家好，来看一则突发(fā)消息(xī)。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的产品未通过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安(ān)全问题隐患，对我国关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施(shī)供应链造成重大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作出(chū)不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采珠海一共几个区最繁华的是哪个街区，珠海几个区？哪个区好？(cǎi)购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题危害国(guó)家(jiā)关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施(shī)安全，是维(wéi)护国家安全的(de)必(bì)要(yào)措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平(píng)台(tái)产(chǎn)品(pǐn)服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)按(àn)照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际(jì)存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和(hé)第三(sān)大(dà)供(gōng)应商采购金额(é)占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存(cún)储(chǔ)产业链上下游建立国内(nèi)外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国(guó)区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对(duì)产品(pǐn)

　珠海一共几个区最繁华的是哪个街区，珠海几个区？哪个区好？　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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