美(měi)光公司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法对美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)办(bàn)公室依法作出不予通过网络安(ān)全审(shěn)查的结论。按照《网络(luò)安全法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购(gòu)美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行(xíng)网络安(ān)全(quán)审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护(hù)国(guó)家安全的必要措施(shī)。中国坚(jiān)定(dìng)推进高(gāo)水平对(duì)外开(kāi)放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服(fú)务进(jìn)入(rù)中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发(fā)文(wén)称(chēng)，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础设(shè)施供应链安全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》战狼3什么时候上映？《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等(děng)国际存储厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一(yī)大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额(é)占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)签署了(le)长期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游市场的(de)供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如(rú)果美光在(zài)中(zhōng)国区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备(bèi)厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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