大(dà)家好，来看(kàn)一则突(tū)发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网络安全审(shěn)查办公室依法对(duì)美光(guāng)公司(sī)在华销售(shòu)产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发(fā)现，美光公司产品存在(zài)较严(yán)重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成(chéng)重大(dà)安全风险，影响我国国家安全。厦门有几个区，厦门有几个区分别叫什么trong>为此，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)作出不予通过网(wǎng)络安全审查的(de)结论。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设施的(de)运营者应停止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范(fàn)产品(pǐn)网络(luò)安全问题危(wēi)害(hài)国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推进高水平(píng)对外(wài)开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发(fā)文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市(shì)场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光(guāng)等(děng)国际(jì)存储厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二大和第三(sān)大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析(xī)，如(rú)果美光(guāng)在中国(guó)区销售受到限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分析称厦门有几个区，厦门有几个区分别叫什么，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积(jī)设(shè)备及(jí)刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美(měi)国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额(é)提(tí)升，以及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入(rù)增长。