大家好(hǎo)，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司(sī)在华销售的(de)产品未通(tōng)过网络安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司(sī)在华销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施供应链(liàn)造(zào)成重大(dà)安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法作出不予通过网络安全(quán)审查(chá)的(de)结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础设(shè)施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进(jìn)行网络(luò)安全审查(chá)，目的(de)是防范(fàn)产品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国(guó)家关键信息基(jī)础设施(shī)安全(quán)，是(shì)维护国(guó)家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要(yào)求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链安全(quán)，防范产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华(huá)人民(mín)共和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的(de)存储芯(xīn)片行业(yè)龙头(tóu)，也是(shì)全球(qi语言凝练和凝炼的区别，凝练和凝炼的区别是什么ú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市(shì)场收(shōu)入(rù)从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存(cún)储等公语言凝练和凝炼的区别，凝练和凝炼的区别是什么司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不(bù)是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三(sān)大供应商(shāng)采购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持(chí)良(liáng)好的(de)合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的语言凝练和凝炼的区别，凝练和凝炼的区别是什么(de)生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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