大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安(ān)全审(shěn)查办公室(shì)依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公司产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础设(shè)施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国(guó)家(jiā)安全(quán)。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查办(bàn)公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的(de)运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防(fáng)范产品网络安全(quán)问题(tí)危害国家关键信息基础设施(shī)安(ān)全，是维护国家(jiā)安(ān)全的必(bì)要(yào)措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平(píng)对外(wài)开(kāi)放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平(píng)台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民(mín)共和国国(guó)家安(ān)全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络安全法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等(děng)国际(jì)存储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn什么的柳条填合适的词，什么的柳条填空)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī什么的柳条填合适的词，什么的柳条填空)大、第(dì)二(èr)大和第三(sān)大供(gōng)应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上(shàng)下(xià)游建(jiàn)立(lì)国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果美光在中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导(dǎo)致下(xià)游(yóu)客户(hù)转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能(néng)会更(gèng)深的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加速(sù)，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关(guān)公司份(fèn)额提(tí)升，以及存储业务占比较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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