大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品(p幼儿园晨间谈话内容有哪些小班，幼儿园晨间谈话内容有哪些中班ǐn)未(wèi)通(tōng)过网络(luò)安(ān)全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较(jiào)严(yán)重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造(zào)成重大(dà)安全风险，影响我国(guó)国家安全(quán)。为此，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法作出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产品网络安全(quán)问题(tí)危害国家关键信息基础设(shè)施安全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平(幼儿园晨间谈话内容有哪些小班，幼儿园晨间谈话内容有哪些中班píng)台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络(luò)安全法》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室(shì)按照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光(guāng)是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全(quán)球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市(shì)场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星(xīng)电子(zi)、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在(zài)江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第一(yī)大存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额(é)占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美(měi)光、西部数(shù)据(jù)等主要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美(měi)光(guāng)在中国区(qū)销售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或(huò)从中受(shòu)益。存储器(qì)的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美(měi)国限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及(jí)存(cún)储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。

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