大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华销售的产(chǎn)品未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在(zài)华销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产品存在(zài)较严(yán)重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网络安全(quán)审查办公室(shì)依(yī)法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内(nèi)关键信息(xī)基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息基础(chǔ)设施安(ān)全(quán)，是维护(hù)国家安全(quán)的必要(yào)措(cuò)施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类平(píng)台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和(hé)国国(guó)家(jiā)安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网络安全(quán)法》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在(zài)江波(bō)龙(lóng)采购(gòu)占(zhàn)比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购为什么负负得正怎么推理，乘法为什么负负得正(gòu)约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和(hé)第三(sān)大供应(yīng)商采购(gòu)金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产(chǎn)业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的(de)稳(wěn)定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户(hù)转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益(yì)。存储器的(de)生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加(jiā)工设(sh为什么负负得正怎么推理，乘法为什么负负得正è)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储被(bèi)加入(rù)美国限制名(míng)单(dān)，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占比较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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