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　　美(měi)光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对(duì)我国关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链造(zào)成重大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室依(yī)法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关(guān)键信(xìn)息基础设施的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目(mù)的(de)是防范产品网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对(duì)行在姓氏中读什么音，行在姓氏中读什么拼音外开放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务(wù)进(jìn)入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关(guān)键信息(xī)基础设施供应(yīng)链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维(wéi)护(hù)国家安(ān)全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国国(guó)家(jiā)安全(quán)法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市(行在姓氏中读什么音，行在姓氏中读什么拼音shì)场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力(lì)士、行在姓氏中读什么音，行在姓氏中读什么拼音美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对(duì)产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储器的(de)生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量(liàng)的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀(shí)目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设(shè)备(bèi)需求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)被加(jiā)入(rù)美国限(xiàn)制名(míng)单，设备国产化进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司(sī)份额提升(shēng)，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高(gāo)的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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