大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公(gōng)司在华销售的(de)产品未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在(zài)华销售嘉祥县属于哪个市 济宁嘉祥是不是很穷产品进行了网络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严(yán)重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国(guó)国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安全嘉祥县属于哪个市 济宁嘉祥是不是很穷(quán)审查(chá)办公室(shì)依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设(shè)施供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和(hé)国国(guó)家(jiā)安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内(nèi)存(cún)）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司(sī)中，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过(guò)美光(guāng)等国际存(cún)储(chǔ)厂(chǎng)商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下(xià)游建立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市(shì)场的(de)供应优势，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从中受益(yì)。存储(chǔ)器(qì)的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积(jī)工(gōng)艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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