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　　美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法对(duì)美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)杨震四知的文言文翻译及注释及翻译，杨震四知文言文原文及翻译安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法作出不(bù)予通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查的结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国(guó)内关键信(xìn)息基础设施的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购(gòu)美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司(sī)产(chǎn)品(杨震四知的文言文翻译及注释及翻译，杨震四知文言文原文及翻译pǐn)进行网络安全审查，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国家(jiā)关(guān)键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开放(fàng)，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链(liàn)安(ān)全，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络(luò)安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场收入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.杨震四知的文言文翻译及注释及翻译，杨震四知文言文原文及翻译76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业(yè)链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应(yīng)优势，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如(rú)果(guǒ)美(měi)光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限制，或将导致下游客(kè)户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设(shè)备(bèi)需求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入(rù)美国限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司(sī)份额提(tí)升，以及(jí)存(cún)储业(yè)务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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